晶圆（wafer） 是制造半导体器件的基础性原材料。高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆，晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构，再经切割、封装、测试成为芯片，广泛应用到各类电子设备当中。 晶圆材料经历了 60 余年的技术演进和产业发展，形成了当今以硅为主、新型半导体材料为补充的产业局面。
据悉：全世界80%的手机和电脑由中国生产。中国的高性能芯片95%依靠进口，于是中国每年要花费2200亿美元去进口芯片，该数额为中国全年石油进口额的2倍。所有与光刻机和芯片生产相关的设备和材料也受到封锁，比如晶圆片、高纯金属、刻蚀机等等。
今天，就让小编好好科普一下关于晶圆机UV光擦除原理吧！这样我们才能更加深入了解晶圆机的构造，也能帮助大家理解晶圆机光擦除技术是如何发展进步的！
UV擦写原理
在数据写入时，需要通过给栅极加上高电压 VPP ，如下图所示，向浮置栅注入电荷。注人后的电荷由于不具备穿透硅氧化膜能壁的能量，因而只能维持现状，所以我们必须给予电荷一定的能量！而这时候就需要用到紫外线了。
当浮置栅接收到紫外线的照射，浮置栅中的电子接收了紫外线光量子的能量，则电子变成具有穿透硅氧化膜能壁能量的热电子。如图 所示，热电子穿透硅氧化膜，流向基板和栅极，恢复为擦除状态。擦除操作，只能通过接收紫外线的照射来进行，而不能进行电子擦除。也就是说，只能够进行由 “ 1 ” 向 “ 0 ” 改变比特数，而在反方向上．除擦除芯片全部内容的方法以外，再没有其他的方法。
我们知道，光的能量与光的波长成反比例关系，为了让电子成为热电子，从而具有穿透氧化膜的能量，就非常需要波长较短的光即紫外线的照射。由于擦除时间决定于光量子的数目，因而即使在波长较短的情况下，也不能缩短擦除时间。一般地，当波长为 4000A （ 400nm ）左右时才开始进行擦除。在 3000A 左右基本达到饱和。低于 3000A 以后，波长即使再短，对于擦除时间也不会产生什么影响。
（晶圆用UV灯的波谱图）
UV擦除的标准一般为接受精准波长的 253.7nm ，强度 ≥16000 μ W /cm²的紫外线 30 分钟至3小时不等的照射时长，即可完成其擦除操作。
自从 2014 年至今，朗普成功为多家深圳晶圆加工企业提供 UV 光擦除装置，降低了晶圆加工成本，光强衰减小，质量稳定。随着朗普对 UV 光擦除装置的不断研究与发展，肯定能为晶圆行业、芯片制造行业带来更多新的希望！
朗普LOGNPRO晶圆光擦除UV装置
设备参数 | |
产品名称 |
晶圆光擦除UV装置 |
型号 |
UV-ERX1 |
输入电压 |
AC220V 50/60Hz |
设备功率 |
1500W |
初始紫外照度（254nm） |
出厂紫外强度≥50000μW/cm2（微瓦每平方厘米） |
擦除时间 |
擦除时间（s）=紫外线能量（uj/cm2）/光照强度（μW/cm2）(注：根据客户实际给出的能量计算即可) |
装载晶圆片数量 |
4个8英寸或1个12英寸 |
设备尺寸 | |
外形尺寸（长×宽×高） |
98cm×98cm×53cm |
托盘尺寸（长×宽） |
75cm×63cm |
有效照射区域（长×宽） |
70cm×52cm |
机器重量 |
30KG |
15728183143
18929589549
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